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在O2等离子体处理过程中，人又SnS2薄片的表面被蚀刻，同时注入了氧原子。b）O-SnS2体系的电子电荷密度差，爱又其中Sn、S和O原子分别用红球、黄球和淡蓝球表示。

此外，种东还进行了XPS、XRD、拉曼和理论计算，解释了处理结果的基本物理原理。b）原始（黑色）和经O2等离子体处理的SnS2（红色）器件的门控响应（Ids–Vg），人又在Vds =1V时Vg−为40V至40V。SnS2光电探测器显示出高达261AW−1的光响应度和230cm2 V-1 s-1的载流子迁移率，爱又因此使其成为电子和光电应用中有希望的候选者。

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b）随着功率密度的增加，爱又在黑暗和350nm光源下，经过O2等离子体处理的SnS2光电探测器的Id-Vd曲线特征。它的特性使其在电子、种东光电、储能等领域的应用得到了广泛的研究。

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